1、意向受让方须为依法设立的企业法人、其他经济组织或具有完全民事行为能力的自然人。
2、意向受让方须具有良好财务状况、支付能力。
3、本项目不接受联合体受让。

1.转让标的整体受让，不可拆分。
2.本标的包含8项专利，各专利介绍如下：
一种降低AlN晶体生长粉料杂质含量的方法
专利权期限：20年
介绍：本发明涉及一种降低AlN晶体生长粉料杂质含量的方法,本发明在AlN原料中特定掺入部分钨元素,控制烧结温度和烧结时间进行两次烧结,形成细丝状的化合物,沉积在粉料源下方,从而降低AlN粉料整体的杂质含量,通过这种方法烧结出的AlN原料的杂质含量能够下降3 5个数量级,在很大程度上提高了晶锭质量;粉料源中的碳氧杂质极大降低,从而起到有效降低原料中的碳氧杂质的作用,得到原料,碳氧元素明显降低,原料更加金黄透亮,内部和外部的杂质和缺陷也会肉眼可见的降低。
一种低损耗烧结提纯氮化铝原料的装配方法
专利权期限：20年
介绍：本发明涉及氮化铝原料处理技术领域,具体为一种低损耗烧结提纯氮化铝原料的装配方法。所述方法包括以下步骤:自钨坩埚底部由下向上依次设置底钨片层、一次烧结粉碎料层、中钨片层、混合料层、顶钨片层;最后将坩埚盖加盖到坩埚顶部,完成装配。装配完成后将坩埚置于单晶生长炉中进行烧结,烧结采用分梯度烧结的工艺,烧结完成后便可以得到黄褐色的高质量AlN多晶烧结体,该烧结体的杂质含量较低,缩聚均匀,颗粒在烧结过程中发生了长大,同时损耗率也保持在较低水平,使得该烧结料在颗粒度、杂质含量、损耗率等方面都达到了高质量AlN单晶生长的需要。
一种用于电阻法氮化铝晶体生长炉的热场及其装配方法
专利权期限：20年
介绍：本发明涉及一种用于电阻法氮化铝晶体生长炉的热场及其装配方法,属于人工晶体生长技术领域。本发明包括最外层的金属筒、位于金属筒内的侧隔热外屏、侧隔热内屏、下隔热屏和中隔热屏,以及位于中隔热屏上方的上隔热屏,其中,侧隔热外屏为呈环形筒状的氧化锆保温层;金属筒由筒体和底部圆环焊接而成,底部圆环的中部通孔处设置有坩埚支架,坩埚支架上放置有坩埚,侧隔热内屏与坩埚之间悬挂有网状加热器。该热场简单、成本低,并且可以大大降低引入的杂质,从而获得具有深紫外透过率的AlN晶体。
一种去除AlN单晶生长用钨件上附着多晶的方法
专利权期限：20年
介绍：本发明属于氮化铝晶体生长技术领域,具体涉及一种去除AlN单晶生长用钨件上附着多晶的方法。本发明通过将附着多晶的钨件设置在坩埚底部并进行高温抽压退火,在合理的温度、抽压压力及保温时间条件下,使附着的多晶在高温下升华形成AlN蒸气,在压力差的驱动下,气流流向坩埚上方的低温区,在低温区的沉积板上进行再沉积,通过这种方法能够有效去除坩埚底部钨件上的多晶;此外,去除的多晶能够进行有效的收集,从而用于后续的晶体生长;并且,多晶去除后的钨件可以资源化再利用。
一种降低AlN晶体生长应力的生长方法
专利权期限：20年
介绍：本发明涉及一种降低AlN晶体生长应力的生长方法,本发明通过在钨籽晶台与AlN籽晶之间设置中间缓冲层,形成双籽晶,中间AlN多晶层的引入能够通过晶界及胶层的缓冲,在很大程度上缓解钨籽晶托带给AlN籽晶的热应力,从而减少籽晶在生长过程中引发的大量裂纹,获得高质量无开裂的AlN单晶。
一种AlN单晶生长过程中低埚位防沉积的方法
专利权期限：20年
介绍：本发明属于氮化铝晶体生长技术领域,具体涉及一种AlN单晶生长过程中低埚位防沉积的方法。本发明通过温场模拟设计了与坩埚尺寸相匹配的钨锥,所述钨锥由下方的圆柱部件和上方的圆台部件构成,所述圆柱部件底部半径与所述圆台部件的底部半径相同;所述钨锥高度为坩埚高度的2/5 3/5,所述圆柱部件高度为坩埚高度的1/5 1/4。将钨锥设置在坩埚底部中心位置,并将AlN原料填充于钨锥与坩埚之间,避免坩埚底部中心温度相对较低的区域与AlN粉料相接触,防止底部原料在坩埚底部中心位置沉积,使得坩埚便于清理,减少了原料浪费;本发明通过上述方法使得AlN原料放置于坩埚内部的高温区内,提高了原料的利用率。
一种用于氮化铝单晶生长籽晶背部镀膜的方法
专利权期限：20年
介绍：本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种小尺寸氮化铝晶圆的抛光方法。本发明的抛光方法，当待加工的小尺寸氮化铝晶片的片数小于3片时，采用蓝宝石或碳化硅作为辅助晶片，将辅助晶片与小尺寸氮化铝晶片一起放在陶瓷盘上进行抛光。对于直径为4英寸的陶瓷圆盘，待加工晶圆的总表面积为11.4-45.6cm2，对应的抛光压力为1.5-3英寸的圆面积对应的抛光压力为300-700g/cm2，大圆盘的转速为40-70rpm。该方法用于对尺寸小于一英寸的晶圆进行抛光，在小尺寸晶圆的抛光过程中，由于尺寸较小，夹具容易倾斜，晶面TTV不均匀的问题。

意向受让方须承诺，在递交受让申请并交纳交易保证金后，即表明理解并接受本次资产转让的所有内容及程序，完全了解与认可转让标的状况以及存在的瑕疵等一切内容，并自行承担受让转让标的所带来的一切风险和后果；成为最终受让方后不得以不了解转让标的为由退还转让标的，否则将视为违约；非因转让方原因所引发的风险因素，由受让方自行承担。
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