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山东大学所持“大口径及高氘dkdp 晶体生长技术”相关的4项专利权、2项专利申请权及1项技术秘密转让
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项目名称 山东大学所持“大口径及高氘dkdp 晶体生长技术”相关的4项专利权、2项专利申请权及1项技术秘密转让 项目编号 TANT2678017
转让底价 5,000 万元 转让方 山东大学
保证金 0万元 保证金支付方式 银行转账
挂牌时间 2026-09-03 至 2026-09-09

一、项目介绍

技术项目信息登记表(供给方)

技术项目名称 山东大学所持“大口径及高氘dkdp 晶体生长技术”相关的4项专利权、2项专利申请权及1项技术秘密转让
行业分类 新材料技术|其他
战略性新兴产业分类 新材料产业|新型功能材料产业|其他功能材料
权属人所属地域 山东省济南市历城区
十强产业领域 新能源新材料
项目权属(个人或单位名称) 山东大学
专利情况
转让底价 5,000 万元
合作方式 成果转让
项目简介 1.转让标的整体受让,不可拆分。 2.本标的包含4项专利权、2项专利申请权及1项技术秘密,各成果介绍如下: (1)一种KDP类晶体生长架及定向生长方法:本发明公开了一种KDP类晶体生长架及定向生长方法,包括上下平行间隔的下底板和上底板,下底板一侧边缘上方垂直设置有侧壁,侧壁位于侧连接杆内侧且侧壁的高度低于侧连接杆的高度,下底板的上表面设置有籽晶槽,籽晶槽靠近侧壁并远离下底板中心。首先在生长槽中放入晶体生长溶液;然后将点籽晶放入生长架的籽晶槽中,并将生长架放置在晶体生长溶液中以使点籽晶生长;点籽晶接触侧壁后沿没有侧壁阻挡的方向生长,最终得到特定取向的KDP类晶体。 (2)一种KDP类晶体锥柱生长区域的成像判别方法及系统:本发明公开了一种KDP类晶体锥柱生长区域的成像判别方法及系统,涉及涉及KDP类晶体质量检测技术领域。该方法包括步骤:获取待测KDP类晶体,并对待测KDP类晶体进行检查;搭建成像判别系统,利用成像判别系统对待测KDP类晶体进行成像,得到KDP类晶体的散射光图像,其中,将待测KDP类晶体放置在成像判别系统中,散射激光斜入射至待测KDP类晶体表面,使晶体在水平方向移动,由CCD相机矩阵实时捕获散射光图像;通过散射光图像判断待测KDP类晶体所有测量区域处的晶体生长区域。本发明可快速有效地利用散射图像直接判别出KDP类晶体的锥柱生长区域,判断方法更简易,判断结果更准确。 (3)一种溶液饱和温度自动测量装置及测量方法:本发明涉及一种溶液饱和温度自动测量装置及测量方法,属于人工晶体生长技术领域,该装置包括照度传感器和双向温控器,光源穿过所述测量槽内待测的不均匀透明介质经透镜和第一遮光板投射至所述照度传感器上,所述照度控制器的信号输出端连接至所述双向控温器,所述双向控温器的信号输出端连接所述电磁搅拌器,用于对溶液升温或降温。本发明通过照度传感器和温度传感器将传统方法中所用的图像信息转化为更方便读取、精度更高的数字信号,从而获取了比肉眼观测更为精准的饱和温度,读数不受人为因素的影响,测量精确、测量效率高、能够自动测量,可靠性更高。 (4)一种溶液饱和温度自动测量装置:本实用新型涉及一种溶液饱和温度自动测量装置,属于人工晶体生长技术领域,该装置包括照度传感器和双向温控器,光源穿过所述测量槽内待测的不均匀透明介质经透镜和第一遮光板投射至所述照度传感器上,所述照度控制器的信号输出端连接至所述双向控温器,所述双向控温器的信号输出端连接所述电磁搅拌器,用于对溶液升温或降温。本实用新型通过照度传感器和温度传感器将传统方法中所用的图像信息转化为更方便读取、精度更高的数字信号,从而获取了比肉眼观测更为精准的饱和温度,读数不受人为因素的影响,测量精确、测量效率高、能够自动测量,可靠性更高。 (5)一种基于UDS的KDP晶体表面过饱和度模拟计算方法:本发明公开一种基于UDS的KDP晶体表面过饱和度模拟计算方法,涉及晶体生长数值模拟技术领域,包括:建立晶体生长槽物理几何模型,对物理几何模型进行网格划分后,导入至Fluent仿真软件;基于用户自定义标量方程UDS,耦合流体湍流、能量方程,建立KDP晶体生长系统溶质传输方程;基于KDP晶体表面溶质反应边界条件,编写用户自定义函数UDF,并基于用户自定义存储UDM,存储KDP溶液平衡浓度,挂载平衡浓度随温度变化的自定义函数,以此构造晶体表面生长速率自洽函数;耦合所建立的方程及函数,建立KDP晶体生长系统的数学模型,设置数学模型的计算域条件及边界条件,计算求解得到KDP晶体生长系统的过饱和度分布。 (6)一种梯度掺氘DKDP晶体生长装置及DKDP晶体生长方法:本发明涉及一种梯度掺氘DKDP晶体生长装置及DKDP晶体生长方法,包括恒温供液装置、蠕动泵和晶体生长装置,所述晶体生长装置包括外壳,外壳内部设置有恒温水槽,恒温水槽的底部设置有控温装置Ⅱ,外壳的顶部设置有生长槽架,生长槽架上方竖直设置有电机,电机下方驱动连接有竖直的旋转轴,旋转轴底部向下延伸入外壳内,旋转轴的底端设置有晶架,在恒温水槽中设置有生长槽,晶架位于生长槽内,在晶体生长时,通过蠕动泵连续不断加入水或重水,当晶体在圆柱形玻璃管内定向生长时,生长溶液的氘含量是均匀变化的,形成了一定氘浓度梯度,使氘含量沿晶体生长方向变化,可以准确计算晶体生长量,从而控制蠕动泵传输速率,使氘含量变化均匀。 (7)大口径DKDP晶体制备技术:大口径DKDP(磷酸二氘钾)晶体制备技术是我国高功率激光装置核心光学元件制造领域的战略性关键技术,亦是当前国际光学工程领域公认的具有极高技术壁垒的复杂系统工程。该技术秘密涵盖了从原料合成、溶液配制、晶体生长、热退火处理到精密加工检测的全链条工艺环节,其整体技术方案及关键工艺参数的特定组合具有显著的非公知性与独占性。
市场前景分析
与同类成果相比优势分析
专利明细
序号 名称 申请号 类别 申请日 授权日
1 一种溶液饱和温度自动测量装置及测量方法 2018106328408 发明 2018-06-20 2024-01-05
2 一种KDP类晶体锥柱生长区域的成像判别方法及系统 2025102845759 发明 2025-03-11 2025-09-19
3 一种溶液饱和温度自动测量装置 2018209482164 实用新型 2018-06-20 2019-02-19
4 一种梯度掺氘DKDP晶体生长装置及DKDP晶体生长方法 2023105360924 发明 2023-05-12 --
5 一种基于UDS的KDP晶体表面过饱和度模拟计算方法 2024110155962 发明 2024-07-26 2025-03-21
6 一种KDP类晶体生长架及定向生长方法 2024102647062 发明 2024-03-08 --
专利是否合并转让
获得资助情况(国家计划课题等) --
项目开发阶段 --
样品情况 样品类型 --
信息有效期 -- 至 --

二、挂牌信息

挂牌公告期 5 个工作日 报价方式 网络竞价
保证金 0万元 保证金交纳截止时间 挂牌截止日17:00前(以银行到账时间为准)

三、披露信息

价款支付方式 银行转账
受让方资格条件
1、意向受让方须为依法设立的企业法人、其他经济组织或具有完全民事行为能力的自然人;
2、意向受让方须具有良好财务状况、支付能力;
3、本项目不接受联合体受让。
重大事项及其他披露内容
1.转让标的整体受让,不可拆分。
2.本标的包含4项专利权、2项专利申请权及1项技术秘密,各成果介绍如下:
(1)一种KDP类晶体生长架及定向生长方法:本发明公开了一种KDP类晶体生长架及定向生长方法,包括上下平行间隔的下底板和上底板,下底板一侧边缘上方垂直设置有侧壁,侧壁位于侧连接杆内侧且侧壁的高度低于侧连接杆的高度,下底板的上表面设置有籽晶槽,籽晶槽靠近侧壁并远离下底板中心。首先在生长槽中放入晶体生长溶液;然后将点籽晶放入生长架的籽晶槽中,并将生长架放置在晶体生长溶液中以使点籽晶生长;点籽晶接触侧壁后沿没有侧壁阻挡的方向生长,最终得到特定取向的KDP类晶体。
(2)一种KDP类晶体锥柱生长区域的成像判别方法及系统:本发明公开了一种KDP类晶体锥柱生长区域的成像判别方法及系统,涉及涉及KDP类晶体质量检测技术领域。该方法包括步骤:获取待测KDP类晶体,并对待测KDP类晶体进行检查;搭建成像判别系统,利用成像判别系统对待测KDP类晶体进行成像,得到KDP类晶体的散射光图像,其中,将待测KDP类晶体放置在成像判别系统中,散射激光斜入射至待测KDP类晶体表面,使晶体在水平方向移动,由CCD相机矩阵实时捕获散射光图像;通过散射光图像判断待测KDP类晶体所有测量区域处的晶体生长区域。本发明可快速有效地利用散射图像直接判别出KDP类晶体的锥柱生长区域,判断方法更简易,判断结果更准确。
(3)一种溶液饱和温度自动测量装置及测量方法:本发明涉及一种溶液饱和温度自动测量装置及测量方法,属于人工晶体生长技术领域,该装置包括照度传感器和双向温控器,光源穿过所述测量槽内待测的不均匀透明介质经透镜和第一遮光板投射至所述照度传感器上,所述照度控制器的信号输出端连接至所述双向控温器,所述双向控温器的信号输出端连接所述电磁搅拌器,用于对溶液升温或降温。本发明通过照度传感器和温度传感器将传统方法中所用的图像信息转化为更方便读取、精度更高的数字信号,从而获取了比肉眼观测更为精准的饱和温度,读数不受人为因素的影响,测量精确、测量效率高、能够自动测量,可靠性更高。
(4)一种溶液饱和温度自动测量装置:本实用新型涉及一种溶液饱和温度自动测量装置,属于人工晶体生长技术领域,该装置包括照度传感器和双向温控器,光源穿过所述测量槽内待测的不均匀透明介质经透镜和第一遮光板投射至所述照度传感器上,所述照度控制器的信号输出端连接至所述双向控温器,所述双向控温器的信号输出端连接所述电磁搅拌器,用于对溶液升温或降温。本实用新型通过照度传感器和温度传感器将传统方法中所用的图像信息转化为更方便读取、精度更高的数字信号,从而获取了比肉眼观测更为精准的饱和温度,读数不受人为因素的影响,测量精确、测量效率高、能够自动测量,可靠性更高。
(5)一种基于UDS的KDP晶体表面过饱和度模拟计算方法:本发明公开一种基于UDS的KDP晶体表面过饱和度模拟计算方法,涉及晶体生长数值模拟技术领域,包括:建立晶体生长槽物理几何模型,对物理几何模型进行网格划分后,导入至Fluent仿真软件;基于用户自定义标量方程UDS,耦合流体湍流、能量方程,建立KDP晶体生长系统溶质传输方程;基于KDP晶体表面溶质反应边界条件,编写用户自定义函数UDF,并基于用户自定义存储UDM,存储KDP溶液平衡浓度,挂载平衡浓度随温度变化的自定义函数,以此构造晶体表面生长速率自洽函数;耦合所建立的方程及函数,建立KDP晶体生长系统的数学模型,设置数学模型的计算域条件及边界条件,计算求解得到KDP晶体生长系统的过饱和度分布。
(6)一种梯度掺氘DKDP晶体生长装置及DKDP晶体生长方法:本发明涉及一种梯度掺氘DKDP晶体生长装置及DKDP晶体生长方法,包括恒温供液装置、蠕动泵和晶体生长装置,所述晶体生长装置包括外壳,外壳内部设置有恒温水槽,恒温水槽的底部设置有控温装置Ⅱ,外壳的顶部设置有生长槽架,生长槽架上方竖直设置有电机,电机下方驱动连接有竖直的旋转轴,旋转轴底部向下延伸入外壳内,旋转轴的底端设置有晶架,在恒温水槽中设置有生长槽,晶架位于生长槽内,在晶体生长时,通过蠕动泵连续不断加入水或重水,当晶体在圆柱形玻璃管内定向生长时,生长溶液的氘含量是均匀变化的,形成了一定氘浓度梯度,使氘含量沿晶体生长方向变化,可以准确计算晶体生长量,从而控制蠕动泵传输速率,使氘含量变化均匀。
(7)大口径DKDP晶体制备技术:大口径DKDP(磷酸二氘钾)晶体制备技术是我国高功率激光装置核心光学元件制造领域的战略性关键技术,亦是当前国际光学工程领域公认的具有极高技术壁垒的复杂系统工程。该技术秘密涵盖了从原料合成、溶液配制、晶体生长、热退火处理到精密加工检测的全链条工艺环节,其整体技术方案及关键工艺参数的特定组合具有显著的非公知性与独占性。
与转让相关的其他条件
意向受让方须承诺,在递交受让申请并交纳交易保证金后,即表明理解并接受本次资产转让的所有内容及程序,完全了解与认可转让标的状况以及存在的瑕疵等一切内容,并自行承担受让转让标的所带来的一切风险和后果;成为最终受让方后不得以不了解转让标的为由退还转让标的,否则将视为违约;非因转让方原因所引发的风险因素,由受让方自行承担。
意向受让方须承诺,在收到《挂牌结果通知单》之日起5个工作日内与转让方签署《技术转让合同书》,并于签订《技术转让合同书》之日起5个工作日内支付应付交易价款至转让方指定账户(交易价款无息结算),交易费用支付至中心指定账户(如本项目公告对以上办理时间有不同约定的,从其约定)。协议成交不收取交易费用,若产生竞价,收取竞价佣金。

四、联系方式

联系人 亓经理 联系电话 053188607877
手机号 邮箱

五、附件资料