1、意向受让方须为依法设立的企业法人、其他经济组织或具有完全民事行为能力的自然人。
2、意向受让方须具有良好财务状况、支付能力。
3、本项目不接受联合体受让。

1、转让标的整体受让，不可拆分。
2、本标的包含4项专利，各专利介绍如下：
（1）一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬底的方法
专利申请日：2023.01.06
授权公告日：-
专利权期限：20年
介绍：本发明属于半导体光电材料制备技术领域，涉及一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬底的方法。在蓝宝石衬底上生长GaN之前，通过氢化物气相外延系统对蓝宝石衬底进行氮化形成高密度AlN<subgt;x</subgt;O<subgt;1x</subgt;突起，然后相继在蓝宝石衬底上形成GaN纳米柱、低温GaN缓冲层、高温GaN层，最终得到GaN单晶衬底。其中，AlN<subgt;x</subgt;O<subgt;1x</subgt;突起，能够降低GaN在蓝宝石衬底上的形成能，便于GaN的外延生长，低温GaN缓冲层能够缓解蓝宝石衬底与GaN间晶格失配产生的应力，能够避免裂纹的出现。
（2）一种蓝宝石模板上GaN单晶衬底高温激光剥离装置及剥离方法
专利申请日：2021.07.28
授权公告日：2024.03.22
专利权期限：20年
介绍：本发明提供一种蓝宝石模板上GaN单晶衬底高温激光剥离装置及剥离方法，包括固定加热炉和括激光器、光束整形器、振镜系统和成像设备，固定加热炉用于固定、加热待剥离样品，激光器发出的激光依次经过光束整形器、振镜系统照射到待剥离样品上，待剥离样品反射的照明光成像至成像设备上，实现剥离过程的实时监察。本发明的装置固定加热炉用于控制剥离的温度，缓解由激光照射与非照射区域温差引起的应力，提高完整剥离整片GaN单晶衬底的良率，可通过调整激光能量、光斑直径、剥离温度、扫描速度与扫描路径等参数调整剥离工艺，通过显微成像系统实现剥离过程的实时观察，可随时反馈剥离情况，调整剥离工艺，实现完整GaN单晶衬底的剥离。
（3）一种优化的 HVPE-GaN 镓舟反应器及 GaN 晶体生长方法
专利申请日：2023.12.27
授权公告日：-
专利权期限：20年
介绍：本发明属于半导体光电材料生产设备技术领域，尤其涉及一种优化的HVPE-GaN镓舟反应器及GaN晶体生长方法。本发明所述反应器包括镓舟组，镓舟组内部设置有GaCl载气输送管道，镓舟组内部包括三个主要腔室：HCl气体分配腔、GaCl气体反应腔以及GaCl气体输送腔； HCl进气口与HCl气体分配腔连通， GaCl气体输送腔通过GaCl载气输送管道上的GaCl进气口与GaCl出气口连通； GaCl气体反应腔分别与HCl气体分配腔、GaCl气体输送腔连通， GaCl气体反应腔以及GaCl气体输送腔连通的底部为镓液区。通过提高镓舟内HCl气体的利用效率，降低反应腔中额外的HCl气体，提高生长的GaN晶体质量，延长设备使用寿命，保障工作人员身体健康和环境质量。
（4）一种高精度大尺寸氮化镓单晶衬底的加工方法
专利申请日：2023.07.06
授权公告日：-
专利权期限：20年
介绍：本发明涉及一种高精度大尺寸氮化镓单晶衬底的加工方法，包括以下步骤：首先对生长后的GaN单晶进行两次高温退火，然后采用一种特殊的粘蜡方式将晶片粘附在与晶片表面凹凸度相适配的石英板或陶瓷板表面，进行研磨，把面形参数降至最低；最后进行化学机械抛光。所得到的GaN衬底的厚度小于500μm，弯曲度bow值不大于±20μm，TTV值不大于20μm，Warp值不大于40μm。本发明提供了更薄的高精度衬底，采用硬度大的研磨盘和碳化硼粉代替金刚石液为外延生长或器件加工提供低厚度衬底；同时外形翘曲变化可以满足要求，不仅降低了耗材成本，也极大降低器件环节的减薄成本。
3、其他重要事项详见评估报告。

1、意向受让方须承诺，在递交受让申请并交纳交易保证金后，即表明理解并接受本次资产转让的所有内容及程序，完全了解与认可转让标的状况以及存在的瑕疵等一切内容，并自行承担受让转让标的所带来的一切风险和后果；成为最终受让方后不得以不了解转让标的为由退还转让标的，否则将视为违约；非因转让方原因所引发的风险因素，由受让方自行承担。
2、意向受让方须承诺，在收到《挂牌结果通知单》之日起5个工作日内与转让方签署《技术转让合同》，并于签订《技术转让合同》之日起5个工作日内支付应付交易价款至转让方指定账户（交易价款无息结算），交易费用支付至中心指定账户（如本项目公告对以上办理时间有不同约定的，从其约定。）协议成交不收费交易费用，若产生竞价，收取竞价佣金。