1、意向受让方须为依法设立的企业法人、其他经济组织或具有完全民事行为能力的自然人。
2、意向受让方须具有良好财务状况、支付能力。
3、本项目不接受联合体受让。

1.转让标的整体受让，不可拆分。
2.专利1名称：一种碳自包覆微米级氧化钨、负极材料、电池及制备方法
专利申请日：2019年10月21日
授权公告日：2022年7月26日
专利权期限：二十年
介绍：本专利为一种碳自包覆微米级氧化钨、负极材料、电池及制备方法，所述方法包括采用水浴搅拌方法制备碳自包覆微米级氧化钨的前驱物；将所述碳自包覆微米级氧化钨的前驱物在惰性气氛下进行煅烧处理，得到碳自包覆微米级氧化钨。本专利所提供的方法合成的碳自包覆微米级氧化钨复合材料是一种类石榴状结构，其中氧化钨纳米颗粒均匀分布在碳基质中。碳基质可以提高碳自包覆微米级氧化钨复合材料的导电性，提供钾离子快速、缩短的传输通道，为电池提供更高的倍率性能。此外，被碳均匀包覆的氧化钨纳米颗粒由于碳的限域作用，可以有效降低氧化钨在钾离子嵌入后的体积膨胀和结构损坏，为电池提供更好的循环性能。
专利2名称：一种二维过渡金属硫化物微米片、正极、电池及方法
专利申请日：2019年7月31日
授权公告日：2022年7月22日
专利权期限：二十年
介绍：本专利为一种二维过渡金属硫化物微米片、正极、电池及方法，所述微米片为由二维过渡金属硫化物纳米片堆积而成的四角星型结构，在堆积的二维过渡金属硫化物纳米片之间存在孔隙。由于微米片为由纳米片堆积而成的四角星型结构，在堆积的纳米片之间存在较多的孔隙，因此，该微米片拥有较大的比表面积，进而拥有较大的放电比容量。另外，二硫化钨具有较大的层间距(d＝0 .62nm )和较弱的范德瓦尔斯力，从而使材料在铝离子的嵌入/脱出过程中不会产生较大形变，此外，相较于其他过渡金属二硫化物，二硫化钨拥有较高的本征电导率，所以更适合用作铝离子电池的正极材料。
专利3名称：一种八硫化九钴多孔纳米片、正极材料、电池及制备方法
专利申请日：2019年7月31日
授权公告日：2022年5月27日
专利权期限：二十年
介绍：本专利为一种八硫化九钴多孔纳米片、正极材料、电池及制备方法，所述八硫化九钴多孔纳米片的制备方法包括采用水热反应制备八硫化九钴多孔纳米片的前驱体；将所述前驱体依次进行煅烧和固相硫化处理，获得八硫化九钴多孔纳米片。采用本专利提供的方法，八硫化九钴多孔纳米片的制备只需要水热反应结合后续煅烧和固相硫化处理即可得到，所需水热温度只需60-210℃，煅烧温度只需400-500℃，条件温和，对外界环境要求宽松。另外，上述方法步骤简单，方便重复制备，而且所需原料价格较低，适合工业化生产。
3.截至挂牌日，已取得发明专利证书。

意向受让方须承诺，在递交受让申请并交纳交易保证金后，即表明理解并接受本次资产转让的所有内容及程序，完全了解与认可转让标的状况以及存在的瑕疵等一切内容，并自行承担受让转让标的所带来的一切风险和后果；成为最终受让方后不得以不了解转让标的为由退还转让标的，否则将视为违约；非因转让方原因所引发的风险因素，由受让方自行承担。
意向受让方须承诺，在收到《挂牌结果通知单》之日起5个工作日内与转让方签署《技术转让合同书》，并于签订《技术转让合同书》之日起5个工作日内支付应付交易价款至转让方指定账户（交易价款无息结算），交易费用支付至中心指定账户（如本项目公告对以上办理时间有不同约定的，从其约定）。协议成交不收取交易费用，若产生竞价，收取竞价佣金。